作者：admin 发布时间：2024-01-07 07:35 分类：书籍推荐 浏览：89
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2、电路原理考研参考书目为：《电路原理》（第2版）清华大学出版社，2007年3月江辑光、刘秀成；《电路原理》清华大学出版社，2007年3月于歆杰、朱桂萍、陆文娟；《电路》（第5版）高等教育出版社，2006年5月邱关源、罗先觉。
3、自动控制原理：《自动控制原理》吴麒主编清华大学出版社。信号分析与处理：《信号分析与处理》姜常珍主编天津大学出版社。电机学：《电机学》汤蕴_史乃主编科学出版社2003年。
4、统考科目政治数学英语是全国统考，这个mosfet书籍推荐我就不说了。
5、电路理论用的是陆文娟编的《电路原理》 。电路：由金属导线和电气、电子部件组成的导电回路，称为电路。在电路输入端加上电源使输入端产生电势差，电路即可工作。
6、可以看出因为学校的不同，同为电气工程专业，电力系统及其自动化研究方向，但专业课二所考察的却都不同。
1、N沟道增强型场效应管在使用时必需要有一个正的栅极电压，并且这个电压要大于某一值，这一值称为“开启电压”。场效应管有两大类：耗尽型和增强型。
2、一般Ugs（th）一般是2-4伏，典型值3V。不过在开关状态时，这个电压过低，通态电阻比较大，管耗会比较大，如果要正常使用，最好Ugs在8-10V左右。
3、MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压。由于刚出现强反型时，表面沟道中的导电电子很少，反型层的导电能力较弱，因此，漏电流也比较小。
MOS管的驱动电路及其损失，可以参考Microchip公司的AN799 matching MOSFET Drivers to MOSFETs， 讲述得很详细，所以不打算多写了。
https：//pan.baidu.com/s/1n3o5nRly03LiviCsATfZrg pwd=1234 提取码：1234 内容简介 本书共11章。第1章简要介绍了高电压功率器件的可能应用，定义了理想功率开关的电特性，并与典型器件的电特性进行了比较。
第八部视频：BLDC马达直流无刷电机驱动器设计知识点介绍（全硬件）本视频带工程师深入到第二阶段学习，提高对复杂电路的架构设计能力，掌握电路设计的全局观，综合运用各种复杂器件实现各种复杂应用。
这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。
《模拟、数字及电力电子技术(上册)》的目录：编者的话模拟电子篇第一章 基础知识第一节 线性电路常用的定理第二节 半导体二极管及整流电路导电性能介于导体与绝缘体之间材料，我们称之为半导体。
第一章数字电路基础第二章组合逻辑电路基础与应用集成逻辑门电路TTL与非逻辑门CMOS门电路TTL与CMOS之间的接口电路组合逻辑电路基础组合逻辑电路的分析组合逻辑电路的设计常见组合逻辑电路加法器加法器是产生数的和的装置。
第1篇 电路理论基础第1章 电路的基本概念和基本定律电流流过的回路叫做电路，又称导电回路。最简单的电路，是由电源、负载、导线、开关等元器件组成。电路导通叫做通路。只有通路，电路中才有电流通过。
《模拟和数字电子电路基础》 作者Anant Agarwal 本书通过介绍如何从麦克斯韦方程利用一系列简化假设直接得到集总电路抽象，在电气工程和物理间建立了清晰的联系。
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变频器的原理及应用 变频器工作原理 主电路是给异步电动机提供调压调频电源的电力变换部分，变频器的主电路大体上可分为两类[1]：电压型是将电压源的直流变换为交流的变频器，直流回路的滤波是电容。
通常，电机产生的转矩要随频率的减小（速度降低）而减小。减小的实际数据在有的变频器手册中会给出说明。通过使用磁通矢量控制的变频器，将改善电机低速时转矩的不足，甚至在低速区电机也可输出足够的转矩。
用于电机控制的变频器，既可以改变电压，又可以改变频率。但用于荧光灯的变频器主要用于调节电源供电的频率。汽车上使用的由电池(直流电)产生交流电的设备也以“inverter”的名称进行出售。变频器的工作原理被广泛应用于各个领域。
变频器工作原理 主电路是给异步电动机提供调压调频电源的电力变换部分，变频器的主电路大体上可分为两类[1]：电压型是将电压源的直流变换为交流的变频器，直流回路的滤波是电容。
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2、而传统的二氧化硅栅极介电质的工艺已遇到瓶颈，无法满足45nm处理器的要求，因此为了能够很好的解决漏电问题，Intel采用了铪基High-K(高K)栅电介质+Metal Gate(金属栅)电极叠层技术。
3、第三点：电力MOSFET多了个低掺杂N区，该区由于掺杂浓度低，使得其接近于无掺杂的纯半导体材料即本征半导体，因此能承受高电压。
4、在采用CMOS工艺的集成电路中，当一部分电路暂时不使用的时候，可以利用衬偏使得所有的PMOS关断，这样可以减小静态电流，从而达到降低功耗的作用。同时，衬偏也可以用来调节MOS的开启电压。
5、MOS依照其“通道”的极性不同，可分为N沟与‘p“沟的MOSFET结构。如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。
6、基本能做到世界最先进的水平（TCMC和中芯国际），不过知识产权是不是自己的就不好说了。
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